13007 TO-220 Hochgeschwindigkeits-Elektronik transistor

Name: 13007 TO-220 Hochgeschwindigkeits-Elektronik transistor
Brand: Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.
SKU: 60746465776
Price: 405 USD
Availability: InStock

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Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd. 7 yrs

13007 TO-220 Hochgeschwindigkeits-Elektronik transistor

Hoch geschwindigkeit leistung: Der 13007 TO-220 Hochgeschwindigkeitskreis-Elektronik-Transistor ist für Hoch geschwindigkeit anwendungen konzipiert und eignet sich daher für Benutzer, die schnelle Schaltzeiten benötigen.
Breiter Betriebs bereich: Dieser Transistor arbeitet in einem weiten Temperatur bereich von 0,5 V bis 400V und gewähr leistet eine zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen.
Hochs trom behandlung: Mit einer hohen Stromstärke kann dieser Transistor hohe Strombedarf decken, was ihn ideal für Benutzer macht, die Hoch leistungs lasten fahren müssen.
Anpassbare Optionen: Dieses Produkt kann über verschiedene Spediteure versendet werden, einschl ießlich DHL, UPS, FedEx und EMS, sodass Benutzer ihre bevorzugte Versand methode auswählen können.
Umfassende Dokumentation: Das Produkt enthält ein Datenblatt, EDA/CAD-Modelle und Fotos, die den Benutzern die erforderlichen Informationen für die Integration und das Testen liefern.

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

Null

Art

MOSFET

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

Null

Beschreibung

Null

Ursprungsort

Jiangsu, China

Paket/Fall

Null

Art

Null

Betriebstemperatur

Null

Serie

Null

D/c

Null

Anwendung

Verstärker

Lieferantentyp

Einzel händler, ODM, Ursprünglicher Hersteller, Agentur

Kreuz Referenz

Null

Media Verfügbar

das Fotos, EDA/CAD Modelle, Datenblatt

品名

Yarun

Strom-Collector (Ic) (Max)

Null

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Null

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Null

Strom-Collector Cutoff (Max)

Null

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Null

Power-Max

Null

Frequenz-Übergang

Null

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

Null

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Null

FET Typ

Null

FET Feature

Standard

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Null

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Null

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Null

Vgs (th) (Max) @ Id

Null

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Null

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Null

Frequenz

Null

Nennstrom (Ampere)

Null

Rauschzahl

Null

Power-Ausgang

Null

Spannung-Bewertet

Null

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Null

Vgs (Max)

Null

IGBT Typ

Null

Konfiguration

Drei Ebene Inverter-IGBT, FET

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Null

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Null

Eingang

Null

Ntc

Null

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Null

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Null

Strom Drain (Id)-Max

Null

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Null

Widerstand-RDS (Auf)

Null

Spannung

Null

Spannung-Ausgang

Null

Spannung-Offset (Vt)

Null

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Null

Strom-Tal (Iv)

Null

Strom-Spitzen

Null

Anwendungen

Null

Transistor Typ

Mosfet

Typ

Bipolarer Übergangs transistor

Produktname

13007 bis Hochgeschwindigkeits-Elektronik transistor

Versand durch

Dhl \ ups \ fedex \ ems

Vcbo (v)

≥ 700

Vceo (v)

≥ 400

Nutzung

Elektronische Komponenten

Logo

Angepasst

Paket

Bis-220

Hfe

8-40

Vce (v)

≤ 0,5

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

52X15X15 cm

Einzelbruttogewicht:

10.200 kg

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Über dieses Produkt

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