Ursprungsort
Guangdong, China
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller, Agentur, Einzel händler, Other
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
Strom-Collector (Ic) (Max)
1
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
1
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
1
Strom-Collector Cutoff (Max)
1
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1
Widerstand-Emitter Basis (R2)
1
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
1
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
1
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
1
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
1
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
1
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
1
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
1
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
1
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
1
