Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-261-4, TO-261AA
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Händler
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
100V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
1.1A (Tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 0.25mA
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
10V
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
--
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
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