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CRG75T60AK3HD CRG75T60AK3SD Original-Bipolar transistor mit isoliertem Gate IGBT-Modul G75T60AK3HD G75T60AK3SD
5.0(1 Bewertungen)5 verkauft#1Am beliebtesten in Transistoren für Igbt-Modul
Haupteigenschaften
Branchenspezifische
Modellnummer
CRG75T60AK3HD / CRG75T60AK3SD
Art
Bipolar Transistor
Markenname
original
Paket-Art
Während des Lochs
Weitere
Beschreibung
Insulated Gate Bipolar
Ursprungsort
China
Paket/Fall
TO-247
D/c
newest
Anwendung
UPS
Lieferantentyp
Einzel händler
Media Verfügbar
das Fotos
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Befestigungstyp
Durchgangs loch
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Feature
Logic-Level-Tor
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
Insulated Gate Bipolar
Konfiguration
Einzigen Schalter
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung-Ausgang
-
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Transistor Typ
Insulated Gate Bipolar
Montage Typ
Throught Hole
Bearbeitungszeit
Produktbeschreibung des Lieferanten
Hinweis/Haftungausschluss
California Proposition 65 Verbraucher warnungMehr anzeigen
10 - 999 Stück
1,67 €
1000 - 4999 Stück
1,08 €
5000 - 49999 Stück
1,03 €
>= 50000 Stück
0,4638 €
Ausführungen
Insgesamt:2 Spezifikation.
AuswählenSpezifikation(2)
CRG75T60AK3HD
CRG75T60AK3SD
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