Karbonisierung Graphitisierung hochtemperatur Entgasung Verunreinigung Entfernung Labor Graphit-Ofen

Name: Karbonisierung Graphitisierung hochtemperatur Entgasung Verunreinigung Entfernung Labor Graphit-Ofen
Brand: Hunan Jingtan Automation Equipment Co., Ltd.
SKU: 1601158183975
Price: 5,000 USD
Availability: InStock

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Hunan Jingtan Automation Equipment Co., Ltd.

Sonderanfertiger 2 yrs

Karbonisierung Graphitisierung hochtemperatur Entgasung Verunreinigung Entfernung Labor Graphit-Ofen

Hoch temperatur leistung: Diese Labor heizung ist für den Betrieb bei einer Arbeits temperatur von bis zu 3000 ° C und einer Grenzt emperatur von 3200 ° C ausgelegt und eignet sich daher ideal für verschiedene Hoch temperatur anwendungen.
Präzise Temperatur kontrolle: Das Gerät verfügt über eine Temperatur kontroll genauigkeit von 1% und eine Temperatur mess genauigkeit von 0, 2-0, 75%, um zuverlässige und konsistente Ergebnisse in Labor einstellungen zu gewährleisten.
Anpassungs optionen: Kunden können aus verschiedenen Anpassungs optionen auswählen, einschl ießlich Größe, Material und Strom versorgung (IGBT oder Thyristor-Steuerung), um ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen.
Industrielle Konstruktion: Mit einem Gewicht von 2 Tonnen ist diese Ausrüstung so gebaut, dass sie einer starken Nutzung in industriellen Umgebungen standhält, was sie zu einer zuverlässigen Wahl für Labors und Forschungs einrichtungen macht.
Umfassender Support: Das Produkt bietet OEM-und ODM-maßge schneider ten Support, sodass Kunden eng mit dem Hersteller zusammenarbeiten können, um maßge schneiderte Lösungen für ihre spezifischen Bedürfnisse zu entwerfen und zu entwickeln.

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Haupteigenschaften

Weitere

Ursprungsort

Hunan, China

Garantie

1 Jahr

Maßgeschneiderte unterstützung

OEM, ODM

Markenname

Jingtan

Modellnummer

GJC-SML-1.1-Y

Größe

Anpassung

Material

Anpassung

Gewicht

Arbeits temperatur

3000 ℃

Temperatur begrenzen

3200 ℃

Gleichmäßigkeit der Temperatur

≤ ± 10 ℃

Temperatur mess genauigkeit

5130101-0100

Temperatur regel genauigkeit

≤ ± 1 ℃

Strom versorgung

Igbt-Steuerung, Thyristor steuerung

Bearbeitungszeit

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