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HGTG20N60A4D MOSFET-N-Kanal-IGBT der SMPS-Serie mit anti paralleler hyper schneller Diode

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Shenzhen Renge Int'l Trading Co., Limited 11 yrs CN
HGTG20N60A4D MOSFET-N-Kanal-IGBT der SMPS-Serie mit anti paralleler hyper schneller Diode
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HGTG20N60A4D MOSFET-N-Kanal-IGBT der SMPS-Serie mit anti paralleler hyper schneller Diode

Haupteigenschaften

Branchenspezifische

Modellnummer
HGTG20N60A4D
Art
MOSFET
Markenname
Original
Paket-Art
Während des Lochs

Weitere

Montage Typ
Throught Hole
Beschreibung
The HGTG20N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.
Ursprungsort
America
Paket/Fall
TO-247-3LD
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
D/c
Newest
Anwendung
Last Schalter
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller, ODM, Agentur, Einzel händler
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
13X8X5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.200 kg
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Produktbeschreibung des Lieferanten

Hinweis/Haftungausschluss
California Proposition 65 Verbraucher warnung
1 - 99 Stück
1,35 €
>= 100 Stück
0,7109 €

Ausführungen

Insgesamt:
Auswählen

Versand

Versand

Economy
Versandkosten: 5,84 € für 1 Stück
Garantierte Lieferung bis 21. März
Standard
Versandkosten: 5,94 € für 1 Stück
Garantierte Lieferung bis 19. März
Premium
Versandkosten: 12,20 € für 1 Stück
Garantierte Lieferung bis 18. März

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