Hoc hinten siver Infrarot-Dual-Chip 3 Chips 4Chips 810nm 830nm 835nm 880nm 1050m Hoch leistungs 5W 850nm IR-LED-Diode

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Hezhou Litlight Electronic Co., Ltd 7 yrs

CN

Hoc hinten siver Infrarot-Dual-Chip 3 Chips 4Chips 810nm 830nm 835nm 880nm 1050m Hoch leistungs 5W 850nm IR-LED-Diode

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Farben-Temperatur (CCT)

850 nm

Garantie (Jahr)

2-jahr

Andere Merkmale

Ursprungsort

Guangdong, China

Eingangs-Spannung (V)

1.4-2.0v

Art

Hohe Leistung LED

Beleuchtung lösungen service

LED lamp bead light source

Lebensdauer (stunden)

50000

Span-Material

InGaN

Ausstrahlen von Farbe

IR

Leuchtende Intensität

mcd

Lichtstrom (lm)

lm

Lichtdämpfung (%)

1

Energie

5 Watt

Energien-Ableitung

2000

Betrachtungs-Winkel (°)

120/140

Farbwiedergabe-Index (Ra)

70

Farben-Temperatur

840nm-860nm

Betriebstemperatur (℃)

-20 - 65

Speichertemperatur (℃)

-20 - 65

Markenname

Litlight

Forward Voltage

1.6-2.2V

max Forward Current

1400mA

Wave length

850nm

Product Type

5W High Power IR LED

Chip Quatity

2 chips

Optional Wavelength

810nm 830nm 850nm 880nm

Power Range

1-500W available

Other Wavelength

700nm, 750nm, 760nm, 780nm, 810nm, 880nm, 890 nm 910nm

LED chips

Taiwan Chip

Application

Camera

Certification

ce, RoHS

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

50 pieces/tray;
or 50 piece/tube.

Hafen

Shenzhen

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

2X2X1 cm

Einzelbruttogewicht:

0.002 kg

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit

100000000 Stück/Stücke per Month High Power IR LED

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