Montage Typ
Sp600 Audio verstärker transistor
Beschreibung
Einzelne Bipolar transistoren für digitale Schaltungen und Schalt leistung
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Sot-23 sot-223 sot-323 sot-363 sot-523 Transistor
Art
Npn pnp Leistungs transistoren
Betriebstemperatur
150 °c (tj)
Serie
HF-Transistor igbt Transistor Mosfet Darlington Transistor Bipolar transistor
D/c
Sot-23 sot-223 sot-323 Transistor
Anwendung
Power Schalter Schaltungen
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller
Kreuz Referenz
Bis-274 bis-262 bis-252 bis-247 bis-226 bis-126 Transistoren
Media Verfügbar
das Fotos
Strom-Collector (Ic) (Max)
15a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
230v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3v @ 800ma, 8a
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15a
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
Drei Ebene Inverter-IGBT, FET
Transistor Typ
Npn pnp bipolarer rf igbt mosfet transistor
Paket
Transistor bis-274 bis-262 bis-252 bis-247 bis-226 bis-126 usw.
Zertifikat
Rosh/ce/iso9001
Service
One-Stop-Bom-Service
Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Versand durch
Dhl \ ups \ fedex \ ems \ hk post
Stichwort
Bc549c bipolar rf igbt mosfet power audio leistungs verstärker transistor
