Low MOQ Hot Sale 2 N3904 Integrierte Schaltkreise IC-Chip Elektronische Komponenten 2 N3904 Transistor

Name: Low MOQ Hot Sale 2 N3904 Integrierte Schaltkreise IC-Chip Elektronische Komponenten 2 N3904 Transistor
Brand: Shenzhen Shengxin Electronics Co., Ltd.
SKU: 1601252503965
Price: 0.02 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Shengxin Electronics Co., Ltd. 1 yr

Low MOQ Hot Sale 2 N3904 Integrierte Schaltkreise IC-Chip Elektronische Komponenten 2 N3904 Transistor

Hochwertiges Original hersteller produkt: Dieses Produkt wird direkt vom Original hersteller bezogen, um die höchste Qualität und Zuverlässigkeit für Ihre elektronischen Projekte zu gewährleisten.
Breiter Betriebs temperatur bereich: Der 2 N3904 Transistor kann in einem Temperatur bereich von-55 °C bis 175 °C arbeiten und eignet sich so für verschiedene Anwendungen in rauen Umgebungen.
Niedrige Mindest bestellmenge: Wir bieten eine niedrige Mindest bestellmenge an und sind damit eine ideale Wahl für kleine Elektronik projekte, Prototyping oder Startups mit begrenztem Budget.
Geeignet für verschiedene Anwendungen: Dieser Transistor ist für allgemeine Anwendungen konzipiert, einschl ießlich Verstärker, Schalter und Spannungs regler, was ihn zu einer vielseitigen Komponente für Ihre elektronischen Designs macht.
Langfristige Verfügbar keit: Mit einer hohen Stabilität der Lieferkette stellen wir die langfristige Verfügbar keit dieses Produkts sicher, wodurch das Risiko von Lager beständen und Produktions verzögerungen für Ihre Projekte verringert wird.

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Haupteigenschaften

Branchenspezifische

Modellnummer

2N3904

Art

Bipolar Transistor

Markenname

OEM

Paket-Art

Durch Loch

Weitere

Montage Typ

Standard

Beschreibung

Standard

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

Standard

Art

Standard, Mosfet

Betriebstemperatur

Standard

Serie

Standard

D/c

23 +

Anwendung

Standard

Lieferantentyp

Ursprünglicher Hersteller

Kreuz Referenz

Transistor

Media Verfügbar

Andere

品名

Standard

Strom-Collector (Ic) (Max)

Standard

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Standard

Strom-Collector Cutoff (Max)

Standard

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Standard

Power-Max

Standard

Frequenz-Übergang

Standard

Betriebstemperatur

-55 °c ~ 175 °c (tj)

Widerstand-Basis (R1)

Standard

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Standard

FET Typ

Standard

FET Feature

Standard

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Standard

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Standard

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Standard

Vgs (th) (Max) @ Id

Standard

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Standard

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Standard

Frequenz

Standard

Nennstrom (Ampere)

Standard

Rauschzahl

Standard

Power-Ausgang

Standard

Spannung-Bewertet

Standard

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Standard

Vgs (Max)

Standard

IGBT Typ

Standard

Konfiguration

Standard

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Standard

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Standard

Eingang

Standard

Ntc

Standard

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Standard

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Standard

Strom Drain (Id)-Max

Standard

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Standard

Widerstand-RDS (Auf)

Standard

Spannung

Standard

Spannung-Ausgang

Standard

Spannung-Offset (Vt)

Standard

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Standard

Strom-Tal (Iv)

Standard

Strom-Spitzen

Standard

Anwendungen

Standard

Transistor Typ

Standard

Bearbeitungszeit

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California Proposition 65 Verbraucher warnungMehr anzeigen

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