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NSS60600MZ4T1G 60V 800mW 120 @ 1A,2V 6A PNP SOT-223 Bipolare (BJT) ROHS-integrierte Schaltkreise lc Chip

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NSS60600MZ4T1G 60V 800mW 120 @ 1A,2V 6A PNP SOT-223 Bipolare (BJT) ROHS-integrierte Schaltkreise lc Chip
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Haupteigenschaften

Weitere

Ursprungsort
China
Markenname
Original
Modellnummer
NSS60600MZ4T1G
Art
PNP
Montage Typ
Standard
Beschreibung
Standard
Anwendung
Standard
Serie
Standard
Merkmale
Standard
Herstellung Datum Code
New
Transition Frequency (fT)
100MHz
Operating Temperature
-55°C~+150°C@(Tj)
Category
Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
Collector Cut-Off Current (Icbo)
100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vc
60V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)
120@1A2V
Collector Current (Ic)
6A
Collector-Emitter Saturation Voltage (V
350mV@600mA6A
Power Dissipation (Pd)
800mW

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
25X15X25 cm
Einzelbruttogewicht:
0.500 kg

Bearbeitungszeit

Anpassung nach Kundenwunsch

Produktbeschreibung des Lieferanten

Hinweis/Haftungausschluss
California Proposition 65 Verbraucher warnung
1 - 9 Stück
0,3307 €
10 - 29 Stück
0,2626 €
30 - 99 Stück
0,2335 €
>= 100 Stück
0,214 €

Ausführungen

Insgesamt:
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