Beschreibung
Transistor Mosfet
Ursprungsort
Guangdong, China
Betriebstemperatur
Standard
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller
Media Verfügbar
Datenblatt
Strom-Collector (Ic) (Max)
Standard
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Strom-Collector Cutoff (Max)
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Frequenz-Übergang
Standard
Betriebstemperatur
Standard
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung-Ausgang
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Produktname
Igbt-Transistoren
