TN0606N3-G MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Name: TN0606N3-G MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Brand: Shenzhen Zhancheng Technology Co., Ltd.
SKU: 1600930334374
Price: 2.17 USD
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Shenzhen Zhancheng Technology Co., Ltd. 9 yrs

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

TN0606N3-G

Art

MOSFET

Markenname

original

Paket-Art

TO-92-3

Andere Merkmale

Montage Typ

Through Hole

Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

Ursprungsort

Mexico

Paket/Fall

TO-226-3

Betriebstemperatur

-40~170℃

D/c

NEW

Anwendung

MOSFET fahrer

Lieferantentyp

Original hersteller

Media Verfügbar

Datenblatt

品名

MOSFET

Strom-Collector (Ic) (Max)

N/A

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

N/A

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

N/A

Strom-Collector Cutoff (Max)

N/A

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/A

Power-Max

N/A

Frequenz-Übergang

N/A

Betriebstemperatur

-55~170℃

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

N/A

Widerstand-Emitter Basis (R2)

N/A

FET Typ

N/A

FET Feature

N/A

Drain Quelle Spannung (Vdss)

60 V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

500mA (Tj)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

N/A

Vgs (th) (Max) @ Id

N/A

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

N/A

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

N/A

Frequenz

N/A

Nennstrom (Ampere)

N/A

Rauschzahl

N/A

Power-Ausgang

1W (Tc)

Spannung-Bewertet

N/A

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

3V, 10V

Vgs (Max)

N/A

IGBT Typ

N/A

Konfiguration

Einzel

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

N/A

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

N/A

Eingang

N/A

Ntc

N/A

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

N/A

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/A

Strom Drain (Id)-Max

N/A

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

N/A

Widerstand-RDS (Auf)

N/A

Spannung

N/A

Spannung-Ausgang

N/A

Spannung-Offset (Vt)

N/A

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

N/A

Strom-Tal (Iv)

N/A

Strom-Spitzen

N/A

Anwendungen

N/A

Transistor Typ

N/A

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Einzelartikel

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22X22X5 cm

Einzelbruttogewicht:

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